АМОРФНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
АМОРФНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, аморфные вещества, обладающие свойствами полупроводников. Различают ковалентные аморфные полупроводники (Ge и Si, GaAs и др. в аморфном состоянии), халькогенидные стёкла (напр., As31 Ge30 Se21 Te18), оксидные стёкла (напр., V2O5-P2O5) и диэлектрические плёнки (SiOx, Аl2O3, Si3N4 и др.). Аморфные полупроводники можно рассматривать как сильно легированный компенсированный полупроводник, у которого «дно» зоны проводимости и «потолок» валентной зоны флуктуируют, причём эти флуктуации порядка ширины запрещённой зоны ξд. Электроны в зоне проводимости и дырки в валентной зоне разбиваются на «капли», расположенные в ямах потенциального рельефа, разделённых высокими барьерами. Электропроводность при низких температурах носит прыжковый характер (см. Прыжковая проводимость). При более высоких температурах электропроводность аморфных полупроводников обусловлена тепловым забросом электронов в область делокализованных состояний (см. Неупорядоченные системы). Аморфные полупроводники обладают рядом уникальных свойств, которые открывают возможность для их различных практических применений. Халькогенидные стёкла благодаря прозрачности в ИК области спектра, высокому сопротивлению и фоточувствительности применяются для изготовления электрофотографических пластин передающих телевизионных трубок и записи голограмм (см. Голография). У аморфных полупроводников ярко выражен эффект электрического переключения из высокоомного состояния в низкоомное и обратно, позволяющий создавать элементы со временем срабатывания менее 10-10-10-12 с.