АНТИСЕГНЕТОЭЛЕКТРИК
АНТИСЕГНЕТОЭЛЕКТРИК, термин, часто применяемый к кристаллам, которые, не являясь сегнетоэлектриками, обладают фазовым переходом, сопровождающимся заметной аномальной температурной зависимостью диэлектрической проницаемости и неоднозначной зависимостью электрической поляризации (см. Диэлектрики) от напряжённости электрического поля в области достаточно больших полей (двойные петли гистерезиса). Первоначально понятие антисегнетоэлектрик было введено (по аналогии с понятием антиферромагнетика) для обозначения кристаллов, имеющих в отсутствии поля упорядоченное расположение электрических диполей, но нулевую поляризацию. Однако такая аналогия оказалась неплодотворной, т. к. электрической структурой, в отличие от магнитной, обладают все кристаллы, и в этом смысле любой кристалл, не обладающий спонтанной поляризацией (т. е. не являющийся пироэлектриком или сегнетоэлектриком), может быть отнесён к антисегнетоэлектрикам.